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氧化鋅壓敏電阻在交流電壓作用下的老化：

當(dāng)施加交流電壓一定時(shí)間后，氧化鋅壓敏電阻的U-I特性曲線發(fā)生對稱變化，除了特性曲線的變化是對稱的特點(diǎn)外，改變的趨勢與施加直流電壓的趨勢相近。試驗(yàn)時(shí)所施加的交流電壓梯度為65V/mm，溫度為70℃。試驗(yàn)還表明，不論是直流還是交流作用電壓，老化試驗(yàn)后壓敏電阻U-I 特性在預(yù)擊穿區(qū)（即低電場區(qū)域）的變化程度要比擊穿區(qū)即（中電場區(qū)域）大得多。

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靜態(tài)電容量（PF）

靜態(tài)電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。

響應(yīng)時(shí)間τ

IEEE定義的壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性，而是由測試波形、引線、印制電路版的布線方式、外部測試連接線，以及它們所構(gòu)成的磁環(huán)路等外部原因造成的，根據(jù)這一定義，對8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波或TS>8 μs的電流波，壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ＝0。

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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個(gè)主要 成分是?。冢睿?、尖晶石、焦綠石和一些富?。拢椤∠啵▓D　３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長，而?。裕椋希病?和?。拢幔稀t加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時(shí)起作用，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的　ＺｎＯ　晶粒是?。冢睿稀好綦娮璧幕緲?gòu)成單純?。冢睿稀∈蔷哂芯€性?。桑铡√匦缘姆腔瘜W(xué)計(jì)量?。睢⌒桶雽?dǎo) 體。進(jìn)入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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